관찰소재 : 실리콘 기반 산화물
관찰장비 : 주사전자현미경 (SEM)
배율 : 15,000배


반도체 소자의 크기가 작아질수록 층과 층 사이를 연결하는 TSV (Through Silicon Via) 기술이 중요해집니다.
이 사진은 실리콘 기반의 산화물 소재를 다층으로 쌓고 패턴 사이를 연결하기 위해 TSV 기술을 적용한
부위를 주사전자현미경으로 15,000배 확대하여 관찰한 사진 입니다.

TSV 기술을 적용하여 만든 부분이 마치 나노 첨성대처럼 보입니다.